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FA01219A डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - GaAs FET HYBRID IC - Mitsubishi Electric Semiconductor

भाग संख्या FA01219A
समारोह GaAs FET HYBRID IC
मैन्युफैक्चरर्स Mitsubishi Electric Semiconductor 
लोगो Mitsubishi Electric Semiconductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=FA01219A?> डेटा पत्रक पीडीएफ

FA01219A pdf
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR GaAs FET
FA01219A
GaAs FET HYBRID IC
TYPICAL CHARACTERISTICS 1
Frequency
(MHz)
925.0
941.5
958.0
Pin
(dBm)
5.78
6.05
6.52
Po
(dBm)
30.5
30.5
30.5
Id1
(mA)
93
90
91
Id2
(mA)
552
547
543
Idt
(mA)
644
637
634
Ig1,2
(mA)
-1.86
-1.86
-1.86
-50k
(dBc)
-49.9
-51.7
-51.6
+50k
(dBc)
-49.2
-51.2
-51.6
-100k
(dBc)
-62.5
-63.6
-64.4
VD1=3.5V,VD2=3.5V,VG=-2.5V
+100k 2SP 3SP RL
(dBc) (dBc) (dBc) (dB)
-62.6 -37.5 -49.2 -10.7
-64.1 -37.4 -49.7 -9.4
-64.6 -37.2 -50.2 -8.5
PO,ACP vs Pin CHARACTERISTICS
35
f=925MHz
-30
VD1=3.5V
VD2=3.5V
30 VG=-2.5V
PO
-40
25
ACP+50k
-50
ACP-50k
20 -60
ACP+100k
15 ACP-100k -70
10
-5.0
0.0 5.0
Pin(dBm)
-80
10.0
PO,IDs vs Pin CHARACTERSTICS
35 1000
900
30 PO 800
700
25 IDt 600
500
ID2
20 400
300
15 200
ID1
100
10 0
-5 0 5 10
Pin(dBm)
Nov. ´97

विन्यास 4 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
FA01219AGaAs FET HYBRID ICMitsubishi Electric Semiconductor
Mitsubishi Electric Semiconductor


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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