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F1116 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR - Polyfet RF Devices

भाग संख्या F1116
समारोह PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
मैन्युफैक्चरर्स Polyfet RF Devices 
लोगो Polyfet RF Devices लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=F1116?> डेटा पत्रक पीडीएफ

F1116 pdf
F1116
POUT VS PIN GRAPH
F1116 POUT VS PIN F=400
MHZ; IDQ=0.4A; VDS=28.0V
60 15.50
50 14.50
40 13.50
30 12.50
20
Efficiency = 50%
10
11.50
10.50
0 9.50
012 345 67
P IN IN WATT S
POUT
GAI N
IV CURVE
CAPACITANCE VS VOLTAGE
F1J 1 DIE CAPACITANCE
1000
100
10 Crs s
Cis s
Cos s
1
0 5 10 15 20 25
VDS IN VOLTS
ID AND GM VS VGS
30
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
02
Vg = 2V
F1J 1 DIE IV CU RVE
46
Vg = 4V
8 10 12 14 16
Vds in Volts
Vg = 6V
Vg = 8V
Vg = 10V
18 20
Vg = 12V
F1J 1 DIE GM & ID vs VGS
10
Id
1
Gm
0.1
0.01
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Vgs inVolts
S11 AND S22 SMITH CHART
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
Tolerance 0.XX +/- 0.01 0.XXX +/- 0.005 inches
POLYFET RF DEVICES
REVISION 8/1/97
1110 Avenida Acaso, Camarillo, CA 93012 TEL:(805) 484-4210 FAX:(805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:w w w .polyfet.com

विन्यास 2 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
F1116PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTORPolyfet RF Devices
Polyfet RF Devices


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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