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डेटा पत्रक - SILICON DUAL INSULATED-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR - Vaishali Semiconductor

भाग संख्या	3N187
समारोह	SILICON DUAL INSULATED-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR
मैन्युफैक्चरर्स	Vaishali Semiconductor
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्या	विवरण	विनिर्माण
3N187	SILICON DUAL INSULATED-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR	Vaishali Semiconductor
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