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GAP3SLT33-220FP डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Silicon Carbide Schottky Diode - GeneSiC

भाग संख्या GAP3SLT33-220FP
समारोह Silicon Carbide Schottky Diode
मैन्युफैक्चरर्स GeneSiC 
लोगो GeneSiC लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=GAP3SLT33-220FP?> डेटा पत्रक पीडीएफ

GAP3SLT33-220FP pdf
GAP3SLT33-220FP
3300 V SiC MPS™ Diode
Electrical Characteristics
Parameter
Diode Forward Voltage
Reverse Current
Total Capacitive Charge
Switching Time
Total Capacitance
Symbol
Conditions
Min.
VF
IF = 0.3 A, Tj = 25 °C
IF = 0.3 A, Tj = 175 °C
IR
VR = 3300 V, Tj = 25 °C
VR = 3300 V, Tj = 175 °C
QC
ts
IF ≤ IF,MAX
dIF/dt = 200 A/μs
Tj = 175 °C
VR = 1600 V
VR = 2400 V
VR = 1600 V
VR = 2400 V
C VR = 1 V, f = 1 MHz, Tj = 25°C
VR = 3300 V, f = 1 MHz, Tj = 25°C
Values
Typ. Max.
1.7 2.2
4.7 5.2
1 10
10 100
2.9
3.6
< 10
38
1.3
Unit
V
µA
nC
ns
pF
Thermal / Mechanical Characteristics
Thermal Resistance, Junction - Lead
Weight
Mounting Torque
RthJL
WT
TM
1.69 °C/W
0.2 g
0.8 Nm
Sep 2018 Rev1.1
www.genesicsemi.com/schottky_mps/GAP3SLT33-220FP.pdf
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विन्यास 6 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
GAP3SLT33-220FPSilicon Carbide Schottky DiodeGeneSiC
GeneSiC


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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