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GB01SLT12-214 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Silicon Carbide Schottky Diode - GeneSiC

भाग संख्या GB01SLT12-214
समारोह Silicon Carbide Schottky Diode
मैन्युफैक्चरर्स GeneSiC 
लोगो GeneSiC लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=GB01SLT12-214?> डेटा पत्रक पीडीएफ

GB01SLT12-214 pdf
GB01SLT12-214
1200 V SiC MPS™ Diode
Electrical Characteristics
Parameter
Diode Forward Voltage
Reverse Current
Total Capacitive Charge
Switching Time
Total Capacitance
Symbol
VF
IR
QC
ts
C
Conditions
IF = 1 A, Tj = 25 °C
IF = 1 A, Tj = 175 °C
VR = 1200 V, Tj = 25 °C
VR = 1200 V, Tj = 175 °C
IF ≤ IF,MAX
dIF/dt = 200 A/μs
Tj = 175 °C
VR = 400 V
VR = 800 V
VR = 400 V
VR = 800 V
VR = 1 V, f = 1 MHz, Tj = 25 °C
VR = 800 V, f = 1 MHz, Tj = 25 °C
Min.
Values
Typ. Max.
1.5 1.8
2 2.4
0.1 1
0.3 3.6
3
4
< 10
71
5
Unit
V
µA
nC
ns
pF
Thermal / Mechanical Characteristics
Thermal Resistance, Junction - Lead
Weight
RthJL
WT
7.72 °C/W
0.1 g
Aug 2018 Rev1.2
www.genesicsemi.com/schottky_mps/GB01SLT12-214.pdf
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विन्यास 7 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
GB01SLT12-214Silicon Carbide Schottky DiodeGeneSiC
GeneSiC


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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