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D857 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Silicon NPN Power Transistor - INCHANGE

भाग संख्या D857
समारोह Silicon NPN Power Transistor
मैन्युफैक्चरर्स INCHANGE 
लोगो INCHANGE लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=D857?> डेटा पत्रक पीडीएफ

D857 pdf
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
2SD857
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 30mA; IB= 0
VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 4A; IB= 0.4A
VBE(on) Base-Emitter On Voltage
IC= 3A; VCE= 4V
ICEO Collector Cutoff Current
VCE= 30V; IB= 0
ICES Collector Cutoff Current
IEBO Emitter Cutoff Current
VCE= 60V; VBE= 0
VEB= 5V; IC= 0
hFE-1
DC Current Gain
IC= 1A; VCE= 4V
hFE-2
DC Current Gain
Switching Times
IC= 3A; VCE= 4V
ton Turn-On Time
toff Turn-Off Time
IC= 4A; IB1= -IB2= 0.4A
MIN TYP. MAX UNIT
60 V
1.5 V
2.0 V
700 μA
400 μA
1 mA
40 250
15
0.2 μs
1.4 μs
‹ hFE-1 Classifications
RQP
40-90 70-150 120-250
isc websitewww.iscsemi.cn
2

विन्यास 2 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
D8502SD850SavantIC
SavantIC
D850NHIGH POWER STANDARD RECTIFIERPST
PST


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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