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TB10S डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Silicon Bridge Rectifiers - GME

भाग संख्या TB10S
समारोह Silicon Bridge Rectifiers
मैन्युफैक्चरर्स GME 
लोगो GME लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=TB10S?> डेटा पत्रक पीडीएफ

TB10S pdf
Silicon Bridge Rectifiers
Production specification
TB4S--TB10S
Electrical Characteristics (@TA = 25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test conditions
Typ.
Max.
Maximum instantaneous
forward voltage
Maximum Reverse current
VF IF=0.4A Per Diode
Rated VR,
IR
Per Diode
@TA=25°C
@TA=125°C
--
--
--
1
10
200
Units
V
μA
TBS701AA
Rev.B
www.gmesemi.com

विन्यास 4 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
TB100Radial Dipped Tantalum CapacitorsNemco Electronics
Nemco Electronics
TB100NPN power transistorNXP
NXP


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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