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70R900P डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - N-channel MOSFET - MagnaChip

भाग संख्या 70R900P
समारोह N-channel MOSFET
मैन्युफैक्चरर्स MagnaChip 
लोगो MagnaChip लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=70R900P?> डेटा पत्रक पीडीएफ

70R900P pdf
MMIS70R900P Datasheet
Absolute Maximum Rating (Tc=25unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Rating
Unit Note
Drain Source voltage
Gate Source voltage
Continuous drain current
Pulsed drain current(1)
VDSS
VGSS
ID
IDM
700
±30
5
3
15
V
V
A TC=25
A TC=100
A
Power dissipation
PD 40 W
Single - pulse avalanche energy
EAS 50 mJ
MOSFET dv/dt ruggedness
dv/dt
50 V/ns
Diode dv/dt ruggedness
dv/dt
15 V/ns
Storage temperature
Maximum operating junction
temperature
1) Pulse width tP limited by Tj,max
2) ISD ID, VDS peak V(BR)DSS
Tstg
-55 ~150
Tj 150
Thermal Characteristics
Parameter
Thermal resistance, junction-case max
Thermal resistance, junction-ambient max
Symbol
Rthjc
Rthja
Value
3.1
62.5
Unit
/W
/W
Mar. 2016 Revision 1.3
2 MagnaChip Semiconductor Ltd.

विन्यास 10 पेज
डाउनलोड[ 70R900P Datasheet.PDF ]


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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
70R900PN-channel MOSFETMagnaChip
MagnaChip


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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