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TPCP8L01 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Silicon NPN epitaxial transistor / silicon epitaxial junction diode - Toshiba

भाग संख्या TPCP8L01
समारोह Silicon NPN epitaxial transistor / silicon epitaxial junction diode
मैन्युफैक्चरर्स Toshiba 
लोगो Toshiba लोगो 
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1 Page
		
<?=TPCP8L01?> डेटा पत्रक पीडीएफ

TPCP8L01 pdf
TPCP8L01
4. 絶対最大定格 ()
4.1. 絶対最大定格 NPN トランジスタ部 (特に指定のない限り, Ta = 25 )
項目
記号
定格
コレクタ・ベース間電圧
VCBO
コレクタ・エミッタ間電圧
VCEO
エミッタ・ベース間電圧
VEBO
コレクタ電流 (DC)
(1)
IC
コレクタ電流 (パルス)
(1)
ICP
ベース電流
IB
コレクタ損失
(2)
PC
接合温度
Tj
1: 接合温度が150 を超えることのない放熱条件でご使用ください。
2: ガラスエポキシ基板 (FR4, 25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm, Cu pad: 645 mm2)
120
120
8
0.9
3.0
0.5
0.9
150
4.2. 絶対最大定格 高効率ダイオード部 (特に指定のない限り, Ta = 25 )
単位
V
V
A
A
W
ピーク繰り返し逆電圧
平均順電流
ピーク1サイクルサージ電流
項目
(50 Hz)
記号
VRRM
IF(AV)
IFSM
4.3. 絶対最大定格 共通部 (特に指定のない限り, Ta = 25 )
定格
200
1
15
単位
V
A
項目
記号
定格
単位
接合温度
Tj
-40150
保存温度
Tstg
-40150
: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても, 高負荷 (高温および大電流/
高電圧印加, 多大な温度変化等) で連続して使用される場合は, 信頼性が著しく低下するおそれがあります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) および
個別信頼性情報 (信頼性試験レポート, 推定故障率等) をご確認の上, 適切な信頼性設計をお願いします。
2 2014-07-02
Rev.1.0

विन्यास 9 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
TPCP8L01Silicon NPN epitaxial transistor / silicon epitaxial junction diodeToshiba
Toshiba


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
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AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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