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SVF20NE60PN डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - 600V N-CHANNEL MOSFET - SILAN MICROELECTRONICS

भाग संख्या SVF20NE60PN
समारोह 600V N-CHANNEL MOSFET
मैन्युफैक्चरर्स SILAN MICROELECTRONICS 
लोगो SILAN MICROELECTRONICS लोगो 
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SVF20NE60PN pdf
SVF20NE60PN 说明书
极限参数(除非特殊说明,TC=25°C)
参数名称
漏源电压
栅源电压
漏极电流
漏极脉冲电流
TC=25°C
TC=100°C
耗散功率(TC=25°C
- 大于 25°C 每摄氏度减少
单脉冲雪崩能量(注 1
工作结温范围
贮存温度范围
符号
VDS
VGS
ID
IDM
PD
EAS
TJ
Tstg
参数范围
600
±30
20.0
12.6
80.0
260
2.08
1807
-55+150
-55+150
热阻特性
参数名称
芯片对管壳热阻
芯片对环境的热阻
符号
RθJC
RθJA
参数范围
0.48
50
电性参数(除非特殊说明TC=25°C)
参数
漏源击穿电压
漏源漏电流
栅源漏电流
栅极开启电压
导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
栅极电荷量
栅极-源极电荷量
栅极-漏极电荷量
符号
BBVDSS
IDSS
IGSS
VGS(th)
RDS(on)
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
测试条件
VGS=0VID=250µA
VDS=600VVGS=0V
VGS=±30VVDS=0V
VGS= VDSID=250µA
VGS=10VID=10.0A
VDS=25VVGS=0V
f=1.0MHz
VDD=300VID=20.0A
RG=25Ω
(23)
VDD=480VID=20.0A
VGS=10V
(23)
最小值
600
--
--
2.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值
--
--
--
--
0.25
3590
377
11.8
86.67
189.33
168.67
110.67
63.46
20.63
19.49
最大值
--
1.0
±100
4.0
0.35
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
单位
V
V
A
A
W
W/°C
mJ
°C
°C
单位
°C/W
°C/W
单位
V
µA
µA
V
Ω
pF
ns
nC
杭州士兰微电子股份有限公司
Http://www.silan.com.cn
版本号:1.1
2012.06.04
共7页 第2页

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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
SVF20NE60PN600V N-CHANNEL MOSFETSILAN MICROELECTRONICS
SILAN MICROELECTRONICS


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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