DataSheet.in

NSV9435T1G डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - High Current Bias Resistor Transistor - ON Semiconductor

भाग संख्या NSV9435T1G
समारोह High Current Bias Resistor Transistor
मैन्युफैक्चरर्स ON Semiconductor 
लोगो ON Semiconductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=NSV9435T1G?> डेटा पत्रक पीडीएफ

NSV9435T1G pdf
NSB9435T1G, NSV9435T1G
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Thermal Resistance
JunctiontoCase
JunctiontoAmbient on 1sq. (645 sq. mm) Collector pad on FR4 board material
JunctiontoAmbient on 0.012sq. (7.6 sq. mm) Collector pad on FR4 board material
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, 1/8from case for 5 s
Symbol
RRqqJJCA
RqJA
TL
Value
42
80
174
260
Unit
_C/W
_C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25C unless otherwise noted)
Characteristics
Symbol
Min
Typ
Max Unit
OFF CHARACTERISTICS
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏCollectorEmitter Sustaining Voltage
(IC = 10 mAdc, IB = 0 Adc)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏEmitterBase Voltage
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ(IE = 50 mAdc, IC = 0 Adc)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏCollector Cutoff Current
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ(VCE = 25 Vdc)
(VCE = 25 Vdc, TJ = 125C)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏEmitter Cutoff Current
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ(VBE = 5.0 Vdc)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏON CHARACTERISTICS (Note 1)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏCollectorEmitter Saturation Voltage
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ(IC = 0.8 Adc, IB = 20 mAdc)
(IC = 1.2 Adc, IB = 20 mAdc)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ(IC = 3.0 Adc, IB = 0.3 Adc)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏBaseEmitter Saturation Voltage
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ(IC = 3.0 Adc, IB = 0.3 Adc)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏBaseEmitter On Voltage
(IC = 1.2 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏDC Current Gain
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ(IC = 0.8 Adc, VCE = 1.0 Vdc)
(IC = 1.2 Adc, VCE = 1.0 Vdc)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ(IC = 3.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏResistor
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏDYNAMIC CHARACTERISTICS
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏOutput Capacitance
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ(VCB = 10 Vdc, IE = 0 Adc, f = 1.0 MHz)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏInput Capacitance
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ(VEB = 8.0 Vdc)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏCurrentGain Bandwidth Product (Note 2)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ(IC = 500 mA, VCE = 10 V, Ftest = 1.0 MHz)
VCEO(sus)
VEBO
ICER
IEBO
30
6.0
VCE(sat)
VBE(sat)
VBE(on)
hFE
R1
125
110
90
7.5
Cob
Cib
fT
0.155
220
10
100
135
110
20
200
700
0.210
0.275
0.550
1.25
1.10
12.5
150
Vdc
Vdc
mAdc
mAdc
Vdc
Vdc
Vdc
kW
pF
pF
MHz
1. Pulse Test: Pulse Width 300 ms, Duty Cycle 2%.
2. fT = |hFE| S ftest
http://onsemi.com
2

विन्यास 5 पेज
डाउनलोड[ NSV9435T1G Datasheet.PDF ]


शेयर लिंक


अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
NSV9435T1GHigh Current Bias Resistor TransistorON Semiconductor
ON Semiconductor


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


Index : 0  1  2  3  4  5  6  7  8  9  A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  K  L  M  N  O  P  Q  R  S  T  U  V  W  X  Y  Z



www.DataSheet.in    |   2017   |  संपर्क   |   खोज     |   English