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3DG44 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Silicon NPN Transistor - Huajing Microelectronics

भाग संख्या 3DG44
समारोह Silicon NPN Transistor
मैन्युफैक्चरर्स Huajing Microelectronics 
लोगो Huajing Microelectronics लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=3DG44?> डेटा पत्रक पीडीएफ

3DG44 pdf
3DG44
电参数
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
符号
测试条件
集电极-基 极截止电流
ICBO VCB=500V, IE=0
集电极-发射极截止电流
ICEO VCE=400V, IB=0
发射极-基 极截止电流
IEBO VEB=9V, IC=0
集电极-基 极电压
VCBO IC=0.1mA
集电极-发射极电压
VCEO IC=1mA
发射极-基 极电压
VEBO IE=0.1mA
发射极正向电流传输比静态hFE* VCE=10V, IC=10mA
发射极正向电流传输比静态hFE1 VCE=10V, IC=50mA
集电极-发射极饱和电压
VCE
*
sat
IC=50mA, IB=5mA
基 极-发射极饱和电压
VBE
*
sat
IC=50mA, IB=5mA
特征频
fT
VCE=10V, IC=50mA
f=1MHz
脉冲测试,脉冲tp300μs占空比 δ2%
hFE 分档 100~150~200
R
最小 典型 最大
0.1
0.1
0.1
500
400
9
100 200
45
0.13 0.5
1
单位
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
5 MHz
有害物质说明
害物质或元素
件名称
含量要求
Pb
0.1%
引线框
汞 镉 六价铬
Hg Cd Cr(VI)
0.1% 0.01% 0.1%
○○○
多溴
联苯
PBB
0.1%
多溴二
苯醚
PBDE
0.1%
六溴
十二烷
HBCDD
0.1%
邻苯二 邻苯二甲 邻苯二甲
甲酸酯 酸二丁酯 酸丁苄酯
DEHP DBP BBP
0.1%
0.1%
0.1%
塑封树脂
○○
○○
○○ ○○ ○ ○ ○ ○ ○○
引线 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
○○ ○○ ○ ○ ○ ○ ○○
说明
:表示该元素含量SJ/T11363-2006 标准的限量要求以下
×:表示该元素含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求。
目前产品的焊Pb但属于欧盟 RoHS 指令豁免
无锡华润华晶微电子有限公司
2012
2/5

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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
3DG400SILICON NPN TRANSISTORLZG
LZG
3DG40005AS-HSilicon NPN TransistorHuajing Microelectronics
Huajing Microelectronics


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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