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3DD4520A3 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Silicon NPN Transistor - Huajing Microelectronics

भाग संख्या 3DD4520A3
समारोह Silicon NPN Transistor
मैन्युफैक्चरर्स Huajing Microelectronics 
लोगो Huajing Microelectronics लोगो 
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<?=3DD4520A3?> डेटा पत्रक पीडीएफ

3DD4520A3 pdf
3DD4520 A3
电参数
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
符号
测试条件
集电极-基 极截止电流
ICBO VCB=800V, IE=0
集电极-发射极截止电流
ICEO VCE=450V, IB=0
发射极-基 极截止电流
IEBO VEB=9V, IC=0
集电极-基 极电压
VCBO IC=1mA
集电极-发射极电压
VCEO IC=1mA
发射极-基 极电压
VEBO IE=1mA
发射极正向电流传输比静态hFE* VCE=5V, IC=0.2 A
集电极-发射极饱和电压
VCE
*
sat
IC=0.5A, IB=0.1 A
基 极-发射极饱和电压
VBE
*
sat
IC=0.5A, IB=0.1A
贮存时间
ts
上升时间
tr UI9600IC=0.25A
下降时间
tf
特征频
fT
VCE=10V, IC=0.1A
f=1MHz
脉冲测试,脉冲tp300μs占空比 δ2%
hFE 分档 20~25~30~35
R
最小 典型 最大
0.1
0.1
0.1
800
450
9
20 35
0.8
1.5
25
2
2
单位
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
μs
μs
μs
5 MHz
有害物质说明
害物质或元素
件名称
含量要求
Pb
引线框
0.1%
汞 镉 六价铬
Hg Cd Cr(VI)
0.1% 0.01% 0.1%
○○○
多溴
联苯
PBB
0.1%
多溴二 六溴邻苯二 邻苯二甲 邻苯二甲
苯醚 十二烷 甲酸酯 酸丁酯 酸丁苄酯
PBDE HBCDD DEHP DBP BBP
0.1%
0.1%
0.1%
0.1%
0.1%
塑封树脂
○○
○○○○ ○ ○ ○ ○ ○○
内引线 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
×○○○ ○ ○ ○ ○ ○○
说明
:表示该元素含量SJ/T11363-2006 标准的限量要求下。
×:表示该元素含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求。
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
2 /4

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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
3DD4520A3Silicon NPN TransistorHuajing Microelectronics
Huajing Microelectronics
3DD4520A4Silicon NPN TransistorHuajing Microelectronics
Huajing Microelectronics


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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