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HM5N60 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - N-CHANNEL MOSFET - H&M Semiconductor

भाग संख्या HM5N60
समारोह N-CHANNEL MOSFET
मैन्युफैक्चरर्स H&M Semiconductor 
लोगो H&M Semiconductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=HM5N60?> डेटा पत्रक पीडीएफ

HM5N60 pdf
R
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25)
HM5N60
项目
Parameter
符号
Symbol
HM5N60I/K
数值
Value
HM5N60
HM5N60F
最高漏极-源极直流电压
Drain-Source Voltage
VDSS
连续漏极电流
Drain Current -continuous
ID
T=25
T=100
最大脉冲漏极电流(注 1
Drain Current - pulse
note 1
IDM
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
VGSS
单脉冲雪崩能量(注 2
Single Pulsed Avalanche
Energy
EAS
note 2
雪崩电流(注 1
Avalanche Current
note 1
IAR
重复雪崩能量(注 1
Repetitive Avalanche Current
note 1
EAR
二极管反向恢复最大电压变化
速率(注 3
Peak Diode Recovery
dv/dt
dv/dt note 3
耗散功率
Power Dissipation
PD
TC=25
-Derate
above
51
0.39
25
最高结温及存储温度
Operating and Storage
Temperature Range
TJTSTG
引线最高焊接温度
Maximum Lead Temperature
for Soldering Purposes
TL
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
600
5.0
2.5
16
±30
240
5.0
10.0
5.5
100
0.80
-55+150
300
5.0*
2.5*
16*
33
0.26
Uni
t
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V/n
s
W
W/
版本:201007A
Shenzhen H&M Semiconductor Co.Ltd
http//www.hmsemi.com
2/11

विन्यास 11 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
HM5N60N-CHANNEL MOSFETH&M Semiconductor
H&M Semiconductor
HM5N60N-CHANNEL MOSFETH&M Semiconductor
H&M Semiconductor


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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