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IRF532 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - N-Channel MOSFET Transistor - Inchange Semiconductor

भाग संख्या IRF532
समारोह N-Channel MOSFET Transistor
मैन्युफैक्चरर्स Inchange Semiconductor 
लोगो Inchange Semiconductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=IRF532?> डेटा पत्रक पीडीएफ

IRF532 pdf
INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel Mosfet Transistor
isc Product Specification
IRF532
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage
VGS(th) Gate Threshold Voltage
RDS(on) Drain-Source On-Resistance
IGSS Gate-Body Leakage Current
IDSS Zero Gate Voltage Drain Current
VSD Forward On-Voltage
Ciss Input Capacitance
Coss Output Capacitance
Crss Reverse Transfer Capacitance
CONDITIONS
VGS= 0; ID= 0.25mA
VDS= VGS; ID= 0.25mA
VGS= 10V; ID= 8.3A
VGS= ±20V;VDS= 0
VDS= 100V; VGS=0
IS= 14A; VGS=0
VDS=25V,VGS=0V,
F=1.0MHz
MIN TYP MAX UNIT
100 V
2 4V
0.25 Ω
±500 nA
250 uA
2.5 V
600 pF
250 pF
50 pF
·SWITCHING CHARACTERISTICS (TC=25)
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
Td(on) Turn-on Delay Time
Tr Rise Time
Td(off) Turn-off Delay Time
Tf Fall Time
VDD=50V,ID=14A
VGS=10V
RGS=12Ω
RGEN=12Ω
MIN TYP MAX UNIT
12 15 ns
35 51 ns
25 35 ns
25 36 ns
isc websitewww.iscsemi.cn
2 isc & iscsemi is registered trademark
PDF pdfFactory Pro
www.fineprint.cn

विन्यास 2 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
IRF530N-Channel MOSFET TransistorInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
IRF530N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTORMotorola  Inc
Motorola Inc


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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