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EMBA5N10A डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor - Excelliance MOS

भाग संख्या EMBA5N10A
समारोह N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
मैन्युफैक्चरर्स Excelliance MOS 
लोगो Excelliance MOS लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=EMBA5N10A?> डेटा पत्रक पीडीएफ

EMBA5N10A pdf
 
 
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C, Unless Otherwise Noted) 
PARAMETER 
SYMBOL
TEST CONDITIONS 
EMBA5N10A
LIMITS 
UNIT
MIN  TYP MAX
STATIC 
DrainSource Breakdown Voltage 
Gate Threshold Voltage 
GateBody Leakage 
Zero Gate Voltage Drain Current 
OnState Drain Current1 
DrainSource OnState Resistance1 
Forward Transconductance1 
V(BR)DSS 
VGS(th) 
IGSS 
IDSS 
ID(ON) 
RDS(ON) 
gfs 
VGS = 0V, ID = 250A 
VDS = VGS, ID = 250A 
VDS = 0V, VGS = ±20V 
VDS = 80V, VGS = 0V 
VDS = 70V, VGS = 0V, TJ = 125 °C 
VDS = 10V, VGS = 10V 
VGS = 10V, ID = 10A 
VGS = 5V, ID = 10A 
VDS = 5V, ID = 10A 
DYNAMIC 
100   
1.0  2.0
  
  
  
10   
  130
  150
  8 
 
3.0 
±100
1 
25 
 
150
175
 
V 
nA
A
A 
mΩ
S 
Input Capacitance 
Output Capacitance 
Reverse Transfer Capacitance   
Gate Resistance 
Total Gate Charge1,2 
GateSource Charge1,2 
GateDrain Charge1,2 
TurnOn Delay Time1,2 
Rise Time1,2 
TurnOff Delay Time1,2 
Fall Time1,2 
Ciss 
Coss 
Crss 
Rg 
Qg 
Qgs 
Qgd 
td(on) 
tr 
td(off) 
tf 
 
VGS = 0V, VDS = 25V, f = 1MHz 
VGS = 15mV, VDS = 0V, f = 1MHz 
VDS = 80V, VGS = 10V, 
ID = 10A 
 
VDS = 50V,   
ID = 1A, VGS = 10V, RGS = 6Ω 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
SOURCEDRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TC = 25 °C) 
Continuous Current 
Pulsed Current3 
Forward Voltage1 
IS 
ISM 
VSD 
Reverse Recovery Time   
trr 
Reverse Recovery Charge 
Qrr 
1Pulse test : Pulse Width  300 sec, Duty Cycle  2. 
2Independent of operating temperature. 
 
 
IF = IS, VGS = 0V 
IF = 10A, dlF/dt = 100A / S 
 
 
 
 
 
 
1030
50
42
1.2
23
2.3
6.1
12
20
25
25
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
  10 
  40 
  1.3 
35  
65  
pF
Ω 
nC
nS
A 
V 
nS
nC
2013/10/8 
p.2 

विन्यास 6 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
EMBA5N10AN-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMBA5N10CSField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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