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2SK1118 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - N-Channel MOSFET Transistor - Inchange Semiconductor

भाग संख्या 2SK1118
समारोह N-Channel MOSFET Transistor
मैन्युफैक्चरर्स Inchange Semiconductor 
लोगो Inchange Semiconductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=2SK1118?> डेटा पत्रक पीडीएफ

2SK1118 pdf
INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel Mosfet Transistor
isc Product Specification
2SK1118
·ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25)
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage
VGS= 0; ID= 1mA
VGS(th) Gate Threshold Voltage
VDS= VGS; ID=1mA
RDS(on) Drain-Source On-stage Resistance VGS=10V; ID=3A
IGSS Gate Source Leakage Current
VGS= ±25V;VDS= 0
IDSS Zero Gate Voltage Drain Current
VDS= 600V; VGS= 0
VSD Forward On-Voltage
IS=6A; VGS=0
tr Rise time
ton Turn-on time
tf Fall time
VGS=10V;ID=3A;
RL=100Ω
toff Turn-off time
MIN TYP. MAX UNIT
600 V
1.5 3.5 V
0.95 1.25
Ω
±100 nA
300 uA
2.0 V
25 50 ns
40 80 ns
20 40 ns
80 170 ns
isc websitewww.iscsemi.cn
2 isc & iscsemi is registered trademark
PDF pdfFactory Pro
www.fineprint.cn

विन्यास 2 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
2SK1113Field Effect TransistorToshiba
Toshiba
2SK1115Silicon N Channel MOS FETETC
ETC


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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