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2SK3876-01R डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET - Fuji

भाग संख्या 2SK3876-01R
समारोह N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
मैन्युफैक्चरर्स Fuji 
लोगो Fuji लोगो 
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<?=2SK3876-01R?> डेटा पत्रक पीडीएफ

2SK3876-01R pdf
2SK3876-01R
Characteristics
Allowable Power Dissipation
PD=f(Tc)
250
200
FUJI POWER MOSFET
Typical Output Characteristics
ID=f(VDS):80 µs pulse test,Tch=25°C
20
20V
10V
8.0V
6.5V
16
150 12
6.0V
100 8
50 4
VGS=5.5V
0
0 25 50 75 100 125 150
Tc [°C]
Typical Transfer Characteristic
ID=f(VGS):80 µs pulse test,VDS=25V,Tch=25°C
100
0
0 4 8 12 16 20
VDS [V]
Typical Transconductance
gfs=f(ID):80 µs pulse test,VDS=25V,Tch=25°C
100
10
1
0.1
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
VGS[V]
Typical Drain-Source on-state Resistance
RDS(on)=f(ID):80 µs pulse test,Tch=25°C
VGS=5.5V
6.0V
1.4
1.2
6.5V 8.0V
1.0 10V
20V
0.8
0.6
0
5 10 15 20
ID [A]
10
1
0.1
0.1
1 10
ID [A]
100
Drain-Source On-state Resistance
RDS(on)=f(Tch):ID=6.5A,VGS=10V
3.00
2.75
2.50
2.25
2.00
1.75
1.50
1.25
max.
1.00
0.75
typ.
0.50
0.25
0.00
-50
-25
0
25 50 75 100 125
Tch [°C]
150
2

विन्यास 4 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
2SK3876-01RN-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFuji
Fuji


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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