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2SK3873-01 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET - Fuji

भाग संख्या 2SK3873-01
समारोह N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
मैन्युफैक्चरर्स Fuji 
लोगो Fuji लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=2SK3873-01?> डेटा पत्रक पीडीएफ

2SK3873-01 pdf
2SK3873-01
FUJI POWER MOSFET
Characteristics
Allowable Power Dissipation
PD=f(Tc)
500
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0 25 50 75 100 125 150
Tc [°C]
Typical Transfer Characteristic
ID=f(VGS):80 µs pulse test,VDS=25V,Tch=25°C
100
Typical Output Characteristics
ID=f(VDS):80 µs pulse test,Tch=25 °C
100
90
20V 10V 8V
80
70
60 7V
50
40
6.5V
30
20
VGS=6.0V
10
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
VDS [V]
Typical Transconductance
gfs=f(ID):80 µs pulse test,VDS=25V,Tch=25°C
100
10
10
1
0.1
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
VGS[V]
Typical Drain-Source on-state Resistance
RDS(on)=f(ID):80 µs pulse test,Tch=25°C
0.14
0.13
0.12
VGS=6V
6.5V
7V
0.11
0.10
0.09
0.08
0.07
0.06
0.05
8V
10V
20V
0.04
0.03
0.02
0.01
0.00
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
ID [A]
1
0.1
0.1
1 10
ID [A]
100
Drain-Source On-state Resistance
RDS(on)=f(Tch):ID=28A,VGS=10V
0.200
0.175
0.150
0.125
0.100
0.075
0.050
max.
typ.
0.025
0.000
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Tch [°C]
2

विन्यास 4 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
2SK3873-01N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFuji
Fuji


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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