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2SK3872-01L डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET - Fuji

भाग संख्या 2SK3872-01L
समारोह N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
मैन्युफैक्चरर्स Fuji 
लोगो Fuji लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=2SK3872-01L?> डेटा पत्रक पीडीएफ

2SK3872-01L pdf
2SK3872-01L,S,SJ
FUJI POWER MOSFET
Characteristics
Allowable Power Dissipation
PD=f(Tc)
400
300
200
100
0
0 25 50 75 100 125 150
Tc [°C]
Typical Output Characteristics
ID=f(VDS):80 µs pulse test,Tch=25 °C
100
90
20V
80 10V
70
8V
60
50
40
7V
30
6.5V
20
10
VGS=5.5V
0
0 4 8 12 16 20 24
VDS [V]
Typical Transfer Characteristic
100 ID=f(VGS):80 µs pulse test,VDS=25V,Tch=25°C
Typical Transconductance
gfs=f(ID):80 µs pulse test,VDS=25V,Tch=25°C
100
10
1
0.1
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
VGS[V]
Typical Drain-Source on-state Resistance
RDS(on)=f(ID):80 µs pulse test,Tch=25°C
0.30
0.25 VGS=6V 6.5V
0.20
7V
0.15
8V
0.10
10V
20V
0.05
0.00
0
10 20
30 40 50 60
ID [A]
70 80
10
1
0.1
0.1
1 10
ID [A]
100
Drain-Source On-state Resistance
RDS(on)=f(Tch):ID=20A,VGS=10V
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
max.
typ.
0.00
-50
-25
0
25 50 75 100 125 150
Tch [°C]
2

विन्यास 4 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
2SK3872-01LN-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFuji
Fuji
2SK3872-01SN-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFuji
Fuji


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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