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2SK387 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - N-Channel MOSFET Transistor - Inchange Semiconductor

भाग संख्या 2SK387
समारोह N-Channel MOSFET Transistor
मैन्युफैक्चरर्स Inchange Semiconductor 
लोगो Inchange Semiconductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=2SK387?> डेटा पत्रक पीडीएफ

2SK387 pdf
INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel Mosfet Transistor
isc Product Specification
2SK387
·ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25)
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0; ID= 10mA
VGS(TH) Gate Threshold Voltage
VDS=10V; ID= 1mA
RDS(ON) Drain-Source On-stage Resistance VGS= 10V; ID=10A
IGSS Gate Source Leakage Current
VGS= ±20V; VDS= 0
IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS=150V; VGS= 0
tr Rise time
ton Turn-on time
tf Fall time
VGS=10V;ID=10A;RL=10Ω
toff Turn-off time
MIN TYP. MAX UNIT
150 V
1.5 3.5 V
0.12 0.18 Ω
±100 nA
1 mA
120 ns
150 ns
120 ns
300 ns
isc websitewww.iscsemi.cn
2 isc & iscsemi is registered trademark
PDF pdfFactory Pro
www.fineprint.cn

विन्यास 2 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
2SK3800MOS FETSanken
Sanken
2SK3801MOS FETSanken
Sanken


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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