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2SK383 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - N-Channel MOSFET Transistor - Inchange Semiconductor

भाग संख्या 2SK383
समारोह N-Channel MOSFET Transistor
मैन्युफैक्चरर्स Inchange Semiconductor 
लोगो Inchange Semiconductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=2SK383?> डेटा पत्रक पीडीएफ

2SK383 pdf
INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
2SK383
·ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25)
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN TYP. MAX UNIT
V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS= 0; ID= 10mA
VGS(th) Gate Threshold Voltage
VDS=10 VGS; ID= 1mA
RDS(on) Drain-Source On-stage Resistance VGS= 15V; ID= 5A
IGSS Gate Source Leakage Current
VGS= ±20V; VDS= 0
100 V
2.0 5.0 V
0.15 0.18
Ω
±1 uA
IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS= 80V; VGS= 0
VSD Diode Forward Voltage
IF= 5A; VGS= 0
tr Rise time
1 mA
0.9 V
50 ns
ton Turn-on time
tf Fall time
VGS=15V;ID=2A;RL=15Ω
60
70
ns
ns
toff Turn-off time
160 ns
isc websitewww.iscsemi.cn
2
PDF pdfFactory Pro
www.fineprint.cn

विन्यास 2 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
2SK3800MOS FETSanken
Sanken
2SK3801MOS FETSanken
Sanken


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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