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2SJ274 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - P-Channel MOSFET Transistor - Inchange Semiconductor

भाग संख्या 2SJ274
समारोह P-Channel MOSFET Transistor
मैन्युफैक्चरर्स Inchange Semiconductor 
लोगो Inchange Semiconductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=2SJ274?> डेटा पत्रक पीडीएफ

2SJ274 pdf
INCHANGE Semiconductor
isc P-Channel Mosfet Transistor
isc Product Specification
2SJ274
·ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25)
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS= 0; ID= -1mA
VGS(TH) Gate Threshold Voltage
VDS= VGS; ID= -1mA
RDS(ON) Drain-Source On-stage Resistance VGS= -10V; ID= -8A
IGSS Gate Source Leakage Current
VGS= -12V;VDS= 0
IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS= -100V,VGS= 0
VSD Diode Forward Voltage
IF=-12A;VGS= 0
MIN MAX UNIT
-100
V
-1.0 -2
0.16
V
Ω
-10 uA
-0.1 mA
-1.5 V
isc websitewww.iscsemi.cn
2 isc & iscsemi is registered trademark
PDF pdfFactory Pro
www.fineprint.cn

विन्यास 2 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
2SJ271P-Channel Silicon MOS FETSanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device
2SJ272P-Channel Silicon MOSFETSanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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