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2SD1662 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor

भाग संख्या 2SD1662
समारोह Silicon NPN Power Transistor
मैन्युफैक्चरर्स Inchange Semiconductor 
लोगो Inchange Semiconductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=2SD1662?> डेटा पत्रक पीडीएफ

2SD1662 pdf
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
isc Product Specification
2SD1662
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN TYP. MAX UNIT
V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 50mA, IB= 0
100
V
VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 15A ,IB= 25mA
VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage
IC= 15A ,IB= 25mA
ICBO Collector Cutoff current
VCB= 100V, IE= 0
1.5 V
2.2 V
100 μA
IEBO Emitter Cutoff Current
hFE DC Current Gain
VEB= 5V; IC= 0
IC= 15A; VCE= 3V
1000
10 mA
COB Output Capacitance
fT Current-Gain—Bandwidth Product
Switching Times
IE= 0;VCB= 10V;ftest= 1.0MHz
IC= 1A; VCE= 5V
280
14
pF
MHz
ton Turn-On Time
tstg Storage Time
tf Fall Time
1.0 μs
IB1 = -IB2= 10mA; RL= 10Ω;
VCC= 50V
2.0
μs
1.5 μs
isc websitewww.iscsemi.cn
2

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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
2SD1662Silicon NPN Triple Diffused Type TransistorToshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
2SD1662Silicon NPN Power TransistorInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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