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1SS106 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Silicon Schottky Barrier Diode - Renesas

भाग संख्या 1SS106
समारोह Silicon Schottky Barrier Diode
मैन्युफैक्चरर्स Renesas 
लोगो Renesas लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=1SS106?> डेटा पत्रक पीडीएफ

1SS106 pdf
1SS106
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Reverse voltage
Average rectified current
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
VR
IO
Tj
Tstg
Value
10
30
125
–55 to +125
Unit
V
mA
°C
°C
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol Min Typ Max Unit Test Condition
Forward current
Reverse current
Capacitance
ESD-Capability *1
IF
IR
C
4.5 —
——
——
100 —
— mA VF = 1 V
70 µA VR = 6 V
1.5 pF VR = 1 V, f = 1 MHz
— V C = 200 pF, Both forward and
reverse direction 1 pulse.
Note: 1. Failure criterion; IR 140 µA at VR = 6 V
Rev.2.00, Oct.23.2003, page 2 of 4

विन्यास 5 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
1SS101SUPER HIGH SPEED SWITCHING DIODEXIN SEMICONDUCTOR
XIN SEMICONDUCTOR
1SS101Mixer DiodeNEC
NEC


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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