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2SD1606 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor

भाग संख्या 2SD1606
समारोह Silicon NPN Power Transistor
मैन्युफैक्चरर्स Inchange Semiconductor 
लोगो Inchange Semiconductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=2SD1606?> डेटा पत्रक पीडीएफ

2SD1606 pdf
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
isc Product Specification
2SD1606
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 25mA; RBE=
V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage
IE= 50mA; IC= 0
VCE(sat)-1 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 3A; IB= 6mA
VCE(sat)-2 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 6A; IB= 60mA
VBE(sat)-1 Base-Emitter Saturation Voltage
IC= 3A; IB= 6mA
VBE(sat)-2 Base-Emitter Saturation Voltage
IC= 6A; IB= 60mA
ICBO Collector Cutoff Current
VCB= 120V; IE= 0
ICEO Collector Cutoff Current
VCE= 100V; RBE=
hFE DC Current Gain
IC= 3A; VCE= 3V
VECF
C-E Diode Forward Voltage
IF= 6A
Switching times
ton Turn-on Time
tstg Storage Time
tf Fall Time
IC= 3A, IB1= -IB2= 6mA
MIN TYP. MAX UNIT
120 V
7V
1.5 V
3.0 V
2.0 V
3.5 V
100 μA
10 μA
1000
20000
3.0 V
0.6 μs
7.0 μs
2.0 μs
isc websitewww.iscsemi.cn
2

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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
2SD1601Power TransistorInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
2SD1602Power TransistorInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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